Samsung Electronics e GlobalFoundries hanno annunciato un'importante alleanza strategica con la quale velocizzare l'arrivo sul mercato dei primi semiconduttori basati su processi produttivi FinFET a 14nm. La produzione in massa dei primi modelli che si avvarranno delle nuove tecnologie è prevista per la fine del 2014.
Attraverso i nuovi accordi operati fra i due imponenti colossi del settore dei semiconduttori, verranno ampliate considerevolmente le rese produttive dei processori basati su tecnologia FinFET all'interno degli stabilimenti di Samsung a Hwaseong (Corea del Sud) e Austin (Texas, USA) e di GlobalFoundries a Saratoga, nello stato di New York.
Sviluppato da Samsung e offerto in licenza a GlobalFoundries, il processo FinFET a 14nm è basato su una piattaforma tecnologica che ha già maturato una certa trazione nel settore dei SoC, processori estremamente efficienti di cui si fa uso soprattutto nei sistemi mobile. La piattaforma trae beneficio dalla tridimensionalità dei transistor in modo da superare i limiti dei transistor planari.
Attraverso i nuovi processi produttivi FinFET a 14nm, le società promettono un miglioramento prestazionale del 20% rispetto alle precedenti tecnologie a 20nm, insieme ad un consumo energetico ridotto del 35%. Grazie ai nuovi accordi di licenza pluriennali, e con il rilascio dei Process Design Kit (PDK), i clienti delle due società possono iniziare sin da subito a sviluppare chip proprietari utilizzando le tecnologie FinFET, mentre la produzione in massa dei primi processori FinFET a 14nm sarà lanciata nella fine del 2014.
A trarre beneficio delle nuove tecnologie troveremo anche AMD: "La collaborazione fra Samsung e GlobalFoundries aiuterà AMD a consegnare la nostra prossima generazione di prodotti innovativi con nuovi livelli di capacità computazionale e grafica a partire dai dispositivi mobile a bassa potenza, per arrivare alle soluzioni per server o embedded ad alte prestazioni", sono state le parole di Lisa Su, Senior Vice President e General Manager di Global Business Units per AMD.
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